2011年7月3日星期日
IBM的相变存储器比闪存快100倍 zz
IBM Research的科学家演示了一种新型的相变存储器，它的读写速度比闪存快100倍。
IBM新闻稿称，相变存储器能经受至少1千万次写周期，相比之下，企业级闪存只有3万次写周期，而消费者级闪存只有3千次写周期。IBM表示，新的相变存储器将在未来五年给企业IE和储存系统带来飞跃。研究论文在IEEE的存储器研讨会上进行了介绍。
IBM新闻稿称，相变存储器能经受至少1千万次写周期，相比之下，企业级闪存只有3万次写周期，而消费者级闪存只有3千次写周期。IBM表示，新的相变存储器将在未来五年给企业IE和储存系统带来飞跃。研究论文在IEEE的存储器研讨会上进行了介绍。
// 发贴者：放牛娃的春天 @ 七月 03, 2011 
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