2011年10月11日星期二
惠普将在2013年推出替代闪存的忆阻器芯片 zz
惠普和海力士(Hynix)正在忆阻器基础上开发的新内存技术。忆阻器是具有记忆功能的非线性电阻器。
在国际电子论坛上，惠普实验室资深研究员Stan Williams表示，
该公司计划在一年半时间内向市场推出闪存芯片（Flash）的替代芯片，以及固态硬盘（SSD）的替代存储器。他说，可能到2014年，或者到2015
年，惠普将有DRAM的竞争产品，接下的一步是去替代SRAM。他声称，新芯片的每比特交换能量比Flash改进了两个数量级。
// 发贴者：放牛娃的春天 @ 十月 11, 2011 
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