2012年2月21日星期二
延迟和错误率令SSD前景蒙上阴影 zz
加州大学和微软的研究发现(PDF)， 随着芯片尺寸缩小，NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的延迟会增加一倍。加州大学的研究生Laura Grupp说，他们测试了7家SSD供应商的45种不同类型NAND Flash芯片，这些芯片采用了72nm到25nm的光刻工艺，发现芯片尺寸缩小伴随着性能退化和错误率增加。TLC (三层存储单元)NAND的性能最差，之后是MLC（双层存储单元）NAND和SLC(单层存储单元)NAND。研究人员说，由于性能退化，基于MLC NAND的固态硬盘难以超过4TB，基于TLC NAND的固态硬盘难以突破16TB，因此固态硬盘的未来之路可能在2024年到头。
标签： Latency, NAND Flash, SSD
2011年10月11日星期二
惠普将在2013年推出替代闪存的忆阻器芯片 zz
惠普和海力士(Hynix)正在忆阻器基础上开发的新内存技术。忆阻器是具有记忆功能的非线性电阻器。
在国际电子论坛上，惠普实验室资深研究员Stan Williams表示，
该公司计划在一年半时间内向市场推出闪存芯片（Flash）的替代芯片，以及固态硬盘（SSD）的替代存储器。他说，可能到2014年，或者到2015
年，惠普将有DRAM的竞争产品，接下的一步是去替代SRAM。他声称，新芯片的每比特交换能量比Flash改进了两个数量级。
2011年4月13日星期三
固态硬盘数据不安全 ZZ
固态硬盘（SSD）储存的数据缺乏安全性，数据恢复比传统机械式硬盘更简单。当SSD复写一个区块时，并没有真的写入该区块，而是找另一个尚未使用的位置写入，原先位置的数据没有改变。 此种机制会让重要数据面临暴露风险。操作系统的文件删除变得完全没用，删除的文件可能有4%到91%的资料遗留在各处，即使进行空闲区域清除也会留下大量完整的资料。加州San Diego分校的研究人员发现(PDF)，机械硬盘销毁数据的方式，在SSD上面并不适用。将SSD物理销毁是目前唯一安全的方式。虽然SSD有内置的数据消除机制，但是目前无法在电脑中发出这样的命令。
标签： Data Security, SSD
2009年3月6日星期五
EFF发布监视正当防卫网站 zz
电子前哨基金会(EFF)在开放社会研究所的帮助下发布了监视正当防卫（Surveillance Self-Defense）网站，让美国公众了解政府监视的法律和技术，向他们提供必要的信息和工具去评估这种危险，以及采取措施保护自己不受到伤害。 监视正当防卫或叫自卫，主要是回答两大问题：你电脑的数据和通信中什么是美国政府能合法监视的？为了保护自己抵御此类监视，你能够合法地做什么？EFF向美国公民传授监视的风险管理。
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